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單溫區(qū)CVD管式爐系統(tǒng)

描述:CVD是化學(xué)氣相沉積的英文簡(jiǎn)寫,本公司生產(chǎn)的單溫區(qū)CVD管式爐系統(tǒng)是利用管式爐加熱,把構(gòu)成固態(tài)沉積物的氣態(tài)反應(yīng)劑或液態(tài)反應(yīng)劑的蒸氣及反應(yīng)所需其它氣體引入爐管內(nèi),在爐管內(nèi)使氣態(tài)或蒸汽狀態(tài)的化學(xué)物質(zhì)在氣相或氣固界面上經(jīng)化學(xué)反應(yīng)形成固態(tài)沉積物的技術(shù)。

更新時(shí)間:2024-11-23
產(chǎn)品型號(hào):CSK2-12DZ
廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
訪問次數(shù):1787
詳情介紹
品牌其他品牌升溫速度(達(dá)到最高溫)60/min
內(nèi)部尺寸φ50--φ200mm加熱方式合金電阻絲
最大功率6000kW控溫精度±1℃℃
最高溫度1200℃價(jià)格區(qū)間面議
儀器種類管式爐產(chǎn)地類別國(guó)產(chǎn)
應(yīng)用領(lǐng)域化工,生物產(chǎn)業(yè),制藥

單溫區(qū)CVD管式爐系統(tǒng)

CVD系統(tǒng)應(yīng)用:

CVD是化學(xué)氣相沉積的英文簡(jiǎn)寫,本公司生產(chǎn)的單溫區(qū)CVD管式爐系統(tǒng)是利用管式爐加熱,把構(gòu)成固態(tài)沉積物的氣態(tài)反應(yīng)劑或液態(tài)反應(yīng)劑的蒸氣及反應(yīng)所需其它氣體引入爐管內(nèi),在爐管內(nèi)使氣態(tài)或蒸汽狀態(tài)的化學(xué)物質(zhì)在氣相或氣固界面上經(jīng)化學(xué)反應(yīng)形成固態(tài)沉積物的技術(shù)。

CVD系統(tǒng)分類:

CVD技術(shù)常常通過反應(yīng)類型或者壓力來分類,包括低壓CVD(LPCVD),常壓CVD(APCVD),亞常壓CVD(SACVD),超高真空CVD(UHCVD),等離子體增強(qiáng)CVD(PECVD),高密度等離子體CVD(HDPCVD)以及快熱CVD(RTCVD)。然后,還有金屬有機(jī)物CVD(MOCVD),根據(jù)金屬源的自特性來保證它的分類,這些金屬的典型狀態(tài)是液態(tài),在導(dǎo)入容器之前必須先將它氣化。

CSK2-12DZ系列單溫區(qū)CVD系統(tǒng)組成:

CVD系統(tǒng)=管式爐+真空抽氣系統(tǒng)+多路供氣系統(tǒng)(或者液態(tài)蒸發(fā)系統(tǒng))

CSK2-12DZ系列單溫區(qū)CVD系統(tǒng)配置選擇:

管式爐:

SK2-12DZ 管式真空氣氛爐,1200℃,管徑:50—200mm

真空抽氣系統(tǒng):

LVSE-0.1低真空控制系統(tǒng)

單溫區(qū)CVD管式爐系統(tǒng)

HVSE高真空控制系統(tǒng)

單溫區(qū)CVD管式爐系統(tǒng)

多路供氣系統(tǒng):

ZDS-X多路質(zhì)子流量計(jì)控制供氣系統(tǒng)

單溫區(qū)CVD管式爐系統(tǒng)

FDS-X多路浮子流量計(jì)控制供氣系統(tǒng)

單溫區(qū)CVD管式爐系統(tǒng)

PECVD系統(tǒng):

PECVD:是借助微波或射頻等使含有薄膜成分原子的氣體電離,在局部形成等離子體,而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng),很容易發(fā)生反應(yīng),在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行,利用了等離子體的活性來促進(jìn)反應(yīng),因而這種CVD稱為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)。

單溫區(qū)CVD管式爐系統(tǒng)

PECVD系統(tǒng)的中文名是等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)。是在CVD的基礎(chǔ)上加一個(gè)射頻電源,這個(gè)射頻電源通過感應(yīng)線圈使管式爐爐管內(nèi)氣體形成等離子體,等離子體化學(xué)活性很強(qiáng),很容易發(fā)生反應(yīng),從而在基片上沉積出所期望的固態(tài)沉積物。PECVD具有比普通CVD沉積速率高、均勻性好、一致性和穩(wěn)定性高、沉積所需的溫度低等優(yōu)點(diǎn)。PECVD是由單溫區(qū)CVD管式爐系統(tǒng)再加一個(gè)PE500射頻電源、線圈組成。

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